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Dr.-Ing. Tim Baldauf im Labor Grundlagen der Messtechnik der Fakultät Elektrotechnik an der HTW Dresden am 25.04.17. Im Zuge der Skalierung herkömmlicher Feld-Effekt-Transistoren (FETs) stößt die Halbleiterindustrie zunehmend an physikalische Grenzen, die ein Umdenken erfordern. Rekonfigurierbare Transistoren (RFETs) bieten eine vielversprechende Alternative, da sie reprogrammierbare Logik ermöglichen, womit unabhängig von einer Skalierung die Funktionalität pro Chip gesteigert wird. So könnte dann z.B. ein NAND-Gatter einfach zu einem NOR-Gatter umprogrammiert werden. Meine Arbeit befasst sich im Wesentlichen mit der Optimierung der RFETs durch mechanische Verspannung bzw. mit ihrer Skalierbarkeit für zukünftige Technologieknoten. Dabei wird modernste Simulations-Software benutzt um das elektrische Verhalten dieser Bauelemente in Abhängigkeit verschiedener Parameter zu prognostizieren.

Fotograf Peter SEBB
Copyright Rechteinhaber: © HTW Dresden 2017 - Peter SEBB
Kameramodell NIKON D5
Aufnahmezeit 2017:04:25 09:44:57
Brennweite 75
Blende f/5.6
Verschlusszeit 1/40
ISO 400
Blitz 13
Erstellt am Dienstag 25 April 2017
Abmessungen 4311*2874
Datei 17-0653.jpg
Dateigröße 3846 kB
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